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金属硫属化物/有机胺杂化半导体的薄膜制备、掺杂与光电性质研究
  • 项目名称:金属硫属化物/有机胺杂化半导体的薄膜制备、掺杂与光电性质研究
  • 项目类别:青年科学基金项目
  • 批准号:50702009
  • 申请代码:E0208
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2008-01-01-2010-12-31
  • 项目负责人:魏朔
  • 负责人职称:副教授
  • 依托单位:北京师范大学
  • 批准年度:2007
中文摘要:

金属硫属化物/有机胺杂化化合物是一类新型的有序-强键结合的杂化半导体,在新一代光电子薄膜器件的研究与开发中有着重要的研究价值。本申请旨进行此类材料的薄膜制备、掺杂与光电性质研究。通过设计合成易溶性或低熔点的二元、三元杂化物,采用旋涂法、熔融法和溶剂热法在不同衬底上获得刚性或柔性杂化薄膜;通过合成多种无机层结构、无机层离子掺杂和有机胺层荧光分子掺杂,调节能带结构和光电性质,获得性能优良的杂化薄膜材料;结合理论计算与实验结果,分析此类杂化物及掺杂杂化物的电子结构和光电性质,探索杂化作用对光电性质的影响,研究所制备杂化薄膜的结构、形貌特点及成膜机制,在晶体结构和薄膜层次上揭示此类杂化材料的构-效关系。为此类材料在光电子学领域内的开发与应用提供理论和实验依据。

结论摘要:

英文主题词Metal chalcogenides/amine hybrid compounds; fabrication of thin film; doping; study on optoelectronic properties


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