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高电荷态Arq+、Xeq+离子辐射HOPG、Si表面形成表面纳米结构过程的理论研究
  • 项目名称:高电荷态Arq+、Xeq+离子辐射HOPG、Si表面形成表面纳米结构过程的理论研究
  • 项目类别:地区科学基金项目
  • 批准号:11464026
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人:张正荣
  • 依托单位:兰州城市学院
  • 批准年度:2014

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 2
  • 0
  • 0
  • 0
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