中文摘要：

射频功率放大器是无线通讯系统不可或缺的组成部分，本项目针对CMOS射频功率放大器设计存在的器件击穿电压低和输出功率小、效率低等问题开展研究。项目的研究成果主要有1）提出了Resurf-LDMOS 和Multi-STI LDMOS两种射频功率器件结构，器件击穿电压大于11V，在射频功率放大器设计中有较好的应用前景。2）建立了E类功率放大器的设计分析方法，可以快速进行E类功率放大器的参数设计。3）建立了射频功率放大器设计必需的集成电感和变压器物理模型，模型具有很高的灵活性。4）建立了Multi-STI LDMOS器件高频等效模型。5）在65nm CMOS中，提出了三层堆叠结构的E类功率放大器结构，该电路工作在2GHz频率范围，输出功率大于1瓦，附加功率效率大于55%，目前该电路已经流片。电路仿真性能优于目前文献报道同类工作水平。基于本项目的资助，项目组已经发表论文14篇，其中SCI收录 6篇，EI收录14篇，另外4篇国际会议论文已接收。申请专利5项。硕士论文2份。参与项目的博士后两人，其中1人已经出站，博士生4人，其中2人已经毕业，硕士研究生6人，其中2人已经毕业。