中文摘要：

随着微电子芯片集成技术和通信技术的不断发展与成熟，"信息高速公路"战略的提出和全面发展，高速光通信、超宽带等领域迅猛发展，通信能力的不断提升要求通信终端有更强的信号处理能力和更高的带宽。传统放大器由于寄生电容的存在严重限制了其工作频率和带宽的提高，分布式放大器以超宽的带和适度增益成为了当今高速通信背景下的最佳选择。分布式放大器是从分布式系统范畴分析设计的，通过电感匹配MOS管的寄生电容来实现超宽带的性能。此分布式放大器是基于0.18um的CMOS主流工艺完成带宽为25GHz，增益为9dB的设计目标，并将电路功耗控制在200mW以内。本课题将提出了一种新的设计方法对放大器的结构级数以及级间电感进行分析。同时深入研究非理想因素，建立MOS管和电感的高频模型。深入研究分布式放大器各部分理论，在完成课题目标的同时总结提出一套完整的分布式放大器方法论用以指导分布式放大器的设计。