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　单芯片GaN基宽谱白光LED研究
  • 项目名称：　单芯片GaN基宽谱白光LED研究
  • 批准号：2006AA03A118
  • 项目来源：2006年度“十一五”国家高技术研究发展计划（863计划）新材料领域“半导体照明工程”重大项目
  • 研究期限：2006-12-
  • 项目负责人：陈鹏
  • 依托单位：南京大学
  • 批准年度：2006
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 20
  • 0
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期刊论文
阴极荧光联合分析系统在III族氮化物研究中的应用
高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度
MOCVD生长不同Al组分AlGaN薄膜
MOCVD外延生长a面GaN薄膜及其面内各向异性研究
a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究
生长温度对AlGaInN四元合金薄膜性质的影响
利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究
m面GaN平面内结构和光学各向异性研究
Chemical mechanical polishing of freestanding GaN substrates
Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究
采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究
氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算
薄膜材料研究中的XRD技术
阳极多孔氧化铝的斜孔形成过程及机理
AlxGa1-xN／AlN超晶格材料特性研究
厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响
单芯片GaN基宽谱白光LED研究
陈鹏的项目
多量子阱中无应变AlInGaN四元合金势垒的应变补偿结构制备及发光性质研究
期刊论文 28