中文摘要：

设计并建立了国内第一台微波近场显微镜。可以工作在80-300K，空间分辨率达到微米量级，与国际上最好水平相当。采用有限差分和有限元方法分析了微波近场显微镜，建立了微波近场显微镜成像理论。利用微波近场显微镜系统对介质、铁电、半导体、金属及超导材料薄膜和器件的微波性能进行了深入地研究，建立了材料微波介电常数、介质损耗和表面电阻空间分布的清晰图象，许多研究结果属国际上首次报道。微波近场显微镜的建立和应用，可以进一步揭示电子材料中结构、缺陷等局域性质对微波性能的影响，为材料微波性能的改善和提高奠定了基础，同时提供了对集成电路和器件的局域微波性质进行实时无损检测和分析的有效工具。

结论摘要：

设计并建立了国内第一台微波近场显微镜。可以工作在80－300K，空间分辩率达到微米量级，与国际上最好水平相当。采用有限差分和有限元方法分析了微波近场显微镜，建立了微波近场显微镜成像理论。利用微波近场显微镜系统对介质、铁电、半导体、金属及超导材料薄膜和器件的微波性能进行了深入地研究，建立了材料微波介电常数、介质损耗和表面电阻空间分布的清晰图象，许多研究结果属国际上首次报道。微波近场显微镜的建立和应用，可以进一步揭示电子材料中结构、缺陷等局域性质对微波性能的影响，同时提供了对集成电路和器件的局域微波性质进行实时无损检测和分析的有效工具。设计并建立了国内第一台微波近场显微镜。可以工作在80－300K，空间分辩率达到微米量级