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　高使用温度无铅PTCR半导体陶瓷及其多层片式器件制备技术
  • 项目名称：　高使用温度无铅PTCR半导体陶瓷及其多层片式器件制备技术
  • 批准号：2006AA03Z0437
  • 项目来源：“十一五”国家高技术研究发展计划（863计划）新材料技术领域2006年度专题课题
  • 研究期限：2006-11-
  • 项目负责人：李国荣
  • 依托单位：中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 批准年度：2006
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