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多带隙CGS太阳能电池薄膜材料的制备与性能研究
  • 项目名称:多带隙CGS太阳能电池薄膜材料的制备与性能研究
  • 项目类别:青年科学基金项目
  • 批准号:51102203
  • 申请代码:E0209
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2012-01-01-2014-12-31
  • 项目负责人:杨穗
  • 依托单位:湘潭大学
  • 批准年度:2011
中文摘要:

化石能源的日益枯竭和对生态环境的破坏,使得研究高性价比的太阳能电池迫在眉睫。提高太阳电池的转换效率仍是当今光伏科学发展的主要方向之一。本研究基于多带隙半导体太阳电池的新概念,采用多种方法系统的研究多带隙过渡金属Ti或Cr掺杂的CuGaS2薄膜太阳电池材料的制备参数,通过杂质原子引入中间能带形成多带隙,从而提高对各波段太阳光的利用率。探索掺杂CuGaS2薄膜材料的表面形貌和微观结构可控制备的规律,同时揭示其光吸收和电学性质与微观结构之间的内在关联。并用最佳条件下制备的薄膜材料研制太阳能电池器件,研究器件的转换效率、开路电压、短路电路及填充因子受实验参数的影响。这些工作的开展为研制高转换效率太阳能电池提供基础实验数据,具有重要的学术和应用价值。

结论摘要:

面向国家对洁净能源的重大战略需求,针对太阳电池中光损失导致的效率损失问题,本课题针对高效低成本的第三代太阳能电池前沿技术,选择具有全光谱利用前景、高性价比的多带隙太阳能电池薄膜材料为突破点,紧密围绕宽光谱多带隙CGS太阳电池薄膜材料的设计优化和制备开展深入研究。通过多种方法系统的研究了多带隙过渡金属掺杂黄铜矿CuGaS2太阳能电池薄膜材料的制备参数,探索出掺杂CuGaS2的形貌和微观结构可控制备的规律,同时揭示了其光吸收和电学性质与微观结构之间的内在关联。创新性的采用溶剂热法/成功制备出Ti/Sn/Cr/Fe/Pd等掺杂CuGaS2半导体材料。通过控制制备工艺参数,可以精确控制晶体的物相、化学组分、表面形貌、晶粒尺寸等。采用电沉积法制备出Ti/Sn/Fe等掺杂CuGaS2半导体薄膜。实验证实Ti /Sn/Fe等过渡金属掺杂后在CuGaS2的能带结构中引入了中间能级,能极大的提高对红外光的对吸收,促使光生电流增加。在薄膜太阳能电池应用方面有优异潜质。其中以Ti/Sn掺杂的光谱响应最好。电沉积方法所制备的薄膜从工艺和性能方面更优异于溶剂热法。这些前期的研究工作将直接指导多带隙CuGaS2太阳能电池异质结的设计、优化和制备,为高转换率的宽光谱多带隙CuGaS2太阳能电池异质结和器件的设计和制备奠定了坚实的基础。利用掺杂引入中间能带的CuGaS2材料作为p型吸收层材料,与n型半导体薄膜材料构成异质结太阳能电池,其吸收光子能量将扩展到0.7eV-2.5eV,将极大的提高对红外波段太阳光的利用率,从而提高薄膜太阳能电池的转换效率。我们很好地完成了预定目标。发表SCI论文8篇,培养硕士研究生6名,正在申请专利4项。


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 8
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