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纳米图形化结构高效氮化镓发光器件的机理及光电特性研究
项目名称:纳米图形化结构高效氮化镓发光器件的机理及光电特性研究
项目类别:面上项目
批准号:61274008
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:陈宇
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年度:2012
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
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期刊论文
Light-extraction enhancement of freestanding GaN-based flip-chip light-emitting diodes using two-step roughening methods
陈宇的项目
连续均一相二维MoS2晶体的谷电子输运机制和物理机理研究