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SOI功率器件高K介质横向变宽度三维耐压新技术机理、模型和工艺研究
项目名称:SOI功率器件高K介质横向变宽度三维耐压新技术机理、模型和工艺研究
项目类别:面上项目
批准号:61574081
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:郭宇锋
依托单位:南京邮电大学
批准年度:2015
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
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期刊论文
薄硅膜金属-绝缘层-半导体结构的电容-电压特性
郭宇锋的项目
基于标准CMOS工艺的新型表面超级结射频LDMOS及其模型研究
期刊论文 48
会议论文 4
SOI功率器件横向变厚度耐压新技术的机理、工艺和模型研究
期刊论文 49
会议论文 25
专利 18