中文摘要：

本项目基于探究纳米粒子修饰ZnO纳米阵列中光发射的增强机理，采用时域有限差分算法(FDTD)数值模拟ZnO纳米阵列中电场强度的分布。(1) 模拟时引入均匀的ZnO纳米棒、锥状的ZnO纳米棒和纳米粒子表面修饰的锥状ZnO纳米棒三种简化模型，确定三种模型中的最大电场强度|E|；(2) 研究几率光的偏振化方向与ZnO纳米棒长轴方向之间的夹角取特定值(0°，45°，90°)时三种模型中的最大电场强度|E|；(3) 考虑到实验结果的复杂性，将纳米粒子表面修饰的均匀ZnO纳米棒阵列和锥状ZnO纳米棒阵列中的最大电场强度进行对比；(4) 一般而言，表面增强拉曼散射的强度与|E|4成正比，从而揭示纳米粒子修饰的锥状ZnO纳米棒阵列中光发射的增强机制。这些问题的解决对于进一步理解ZnO半导体纳米材料的光电性能具有十分重要的意义。