中文摘要：

申请人在自旋电子学和纳米磁性隧道结材料的设计和研究方面进行了20余年的持续工作，在自旋电子学材料、特别是磁性隧道结材料设计和研究方面有独特贡献。2001年优化设计出全单晶MgO势垒磁性隧道结，并预言该材料具有巨大室温隧穿磁电阻效应，三年后被多个实验所证实，由此引发新的国际研究热潮，近四年中该论文单篇引用已超过200次。目前MgO基磁性隧道结已被广泛应用于600Gbit/in^2的高密度硬盘磁读头、磁随机存储器存储单元、磁敏传感器及其它自旋电子学器件中。已发表SCI收录学术论文96篇，他人引用超过1138次，其研究成果多次在他人专著中被引用。2007年诺贝尔奖获得者A. Fert在其Nobel Lecture中用大量篇幅引用了张晓光博士的研究工作。开展《新型纳米磁性隧道结材料的设计和制备及其器件原理研究》不仅能推动先进自旋电子学材料的更新,而且对计算机工业和信息产业的发展具有重要的推动作用。