中文摘要：

InAs和InSb的三元化合物InAsSb的能隙可以小到0.1eV (相当于截止波长12.4 μm)，因此成为III-V族半导体中最有希望的长波红外器件材料。我们掌握了一项具有自主知识产权的新的晶体生长技术－熔体外延(ME)，特别适合于生长InAsSb材料。我们将用ME在InAs衬底上生长截止波长8-12μm的InAsSb单晶，并用傅立叶变换红外光谱仪（FTIR）、X-射线衍射测量、霍尔变温测量、电子探针微分析及电子显微镜等测量手段研究InAsSb材料的光学、电学等物理性质、结构特性及生长机理。通过研究来提高材料的质量，在此基础上试制波长8-12μm的InAsSb光伏型红外探测器。本项目将填补我国在III-Ⅴ族长波红外材料上的空白，为红外技术的发展提供重要的新材料。

结论摘要：

InAs和InSb的三元化合物InAsSb的能隙可以小到0.1eV，因此成为III-V族半导体中最有希望的长波红外探测材料。我们掌握了一项具有自主知识产权的新的晶体生长方法－熔体外延(ME)，特别适合于生长InAsSb材料。我们用熔体外延法在国内率先生长出了截止波长10-12μm的InAsSb单晶。红外傅立叶透射光谱测量证明InAsSb材料的最长截止波长达到12μm，禁带宽度比用常规技术生长的组分相同的InAsSb材料明显为窄。X射线衍射光谱揭示InAsSb外延层为单晶，且具有良好的晶体结构。霍尔测量结果给出，InAsSb的载流子浓度为1-3x10的16次方cm-3，295K下，电子迁移率大于40,000cm2/Vs，77K下，电子迁移率大于20,000cm2/Vs，200K下的峰值迁移率大于60,000cm2/Vs，电学指标已达到8-12μm波段InAsSb材料的国际先进水平。并研究了材料的光学、电学等物理性质、及结构特性，探索了禁带宽度变窄的原因。本项目填补了我国长波红外InAsSb材料的空白，为红外技术的发展提供了一种重要的新材料。