Ф6“～Ф8“半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶生长及机制研究-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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Ф6“～Ф8“半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶生长及机制研究

项目名称：Ф6“～Ф8“半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶生长及机制研究
项目类别：面上项目
批准号：60276009
申请代码：F0401
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2003-01-01-2005-12-01

项目负责人：徐岳生
负责人职称：教授
依托单位：河北工业大学
批准年度：2002

中文摘要：

宽带网络、无线移动通讯，促进了砷化镓微电子的发展，带动了大直径砷化镓单晶及抛光片的需求。本项目用改进的液封直拉法（LEC)生长Ф6″-8″半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶，并研究生长过程中热量、质量和动量输运以及保持镓、砷理论化学计量比、降低缺陷密度、改善均匀性等的机制和技术。对发展我国第三代移动通讯产业有重要意义。

中文主题词：半绝缘砷化镓（SI-GaAs）；磁场液封直拉法（MLEC）；镓砷比（Ratio of gallium and arsenide）；AB微缺陷（AB Micro Defects）

结论摘要：

英文主题词SI-GaAs;MLEC；Ratio of gallium and arsenide；AB Micro Defects

成果综合统计