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中文摘要：
具有高热释电系数和大电致应变的材料由于其丰富的基础研究内容和强烈的应用需求，一直是材料界探索研究的主要领域之一。当反铁电材料在温度、电场作用之下，由反铁电向铁电转变时，伴随相变会产生很大的热释电电流和大的电致应变。由于陶瓷块体材料受厚度的限制，其外加诱导电压较高，局限了它的应用，因此反铁电材料的薄膜化研究具有基础和应用两方面的要求。本课题的研究内容包括研究组分变化对PbZrO3基反铁电薄膜结构及性能的影响；确定发生反铁电-铁电、反铁电-顺电和铁电-顺电相变的温度以及与应力、外加电场之间的关系，尤其关注电场对反铁电-铁电相变的调制作用规律；研究薄膜厚度、取向、氧化物缓冲曾和底电极材料对反铁电-铁电相变诱导热释电电流以及电致应变性能的影响规律；优化反铁电薄膜相变时的电致应变和热释电性能，使其能够在高灵敏度的红外热释电探测器和铁电微执行器中得到应用；研究反铁铁电薄膜储能行为及疲劳特性。
结论摘要：
英文主题词Antiferroelectric thin films; Phase transition; DC bias; Pyroelectric property; strain
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