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自加热和热电子效应对AlGaN/GaN HEMT和MOS-HEMT器件电学性能影响的研究
  • 项目名称：自加热和热电子效应对AlGaN/GaN HEMT和MOS-HEMT器件电学性能影响的研究
  • 项目类别：专项基金项目
  • 批准号：10747162
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：胡伟达
  • 依托单位：中国科学院上海技术物理研究所
  • 批准年度：2007
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
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期刊论文
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