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中文摘要：
采用分子束外延法制备InAs/GaInSb应变超晶格材料。根据能带工程，调节超晶格周期、阱宽、GaInSb中InSb的摩尔比等参数，进行InAs/GaxIn1-xSb应变超晶格的结构设计；利用晶体结构理论，开展高质量缓冲层的组分选择和结构设计，并采用二步生长法进行缓冲层的制备；在超晶格界面结构研究和生长动力学分析的基础上，确定超晶格的优化结构和间断生长法等外延生长工艺；研究超晶格的界面反应、界面结构和界面类型，着重分析界面结构的形成过程及其机制，建立界面结构模型，并实现理想界面结构的外延生长控制；对超晶格光电性能进行测试分析，采用优化工艺制备出成分均匀、光电性能优异的高质量的InAs/GaxIn1-xSb应变超晶格材料。本研究拓展了能带理论的应用、丰富了超晶格界面结构的研究，为长波响应、高灵敏度红外焦平面阵列的研制提供材料科学依据。
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期刊论文
Surface morphology of highly mismatched InSb films grown on GaAs substrates by molecular beam epitax
Kinetic Monte Carlo simulation of heteroepitaxial growth of InSb buffer layer and effects on InSb/Ga
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