中文摘要：

电子束光刻是集成电路和光电集成工业以及新一代纳米器件研究领域中用于制作纳米图形的一项关键技术。目前使用的单电子束光刻存在产率低的问题，难以满足大面积高速纳米图形制作的要求，采用平行电子束光刻是解决上述难题的有效手段。本项目探索采用碳纳米管、ZnO纳米线和硅纳米线研制单根纳米冷阴极电子源阵列，目标应用为平行电子束光刻。研究内容包括采用紫外光光刻和纳米催化剂颗粒定位相结合的方法实现纳米尺度定位，制备

结论摘要：

电子束光刻是集成电路和光电集成工业以及新一代纳米器件研究领域中用于制作纳米图形的一项关键技术。目前使用的单电子束光刻存在产率低的问题，难以满足大面积高速纳米图形制作的要求，采用平行电子束光刻是解决上述难题的有效手段。本项目探索采用ZnO纳米线研制单根纳米冷阴极电子源阵列，目标应用为平行电子束光刻。通过项目的实施，取得下列进展(1)实现了硅基上金银合金纳米催化剂颗粒的可控制备；(2)发展了单根纳米线的组装和原位表征技术；(3)垂直于衬底的、分立有序的单根ZnO纳米线及其阵列的可控制备及原位场发射性能表征。上述进展为研制基于单根ZnO纳米冷阴极电子源阵列打下了良好的基础，对促进单根纳米冷阴极电子源在平行电子束光刻系统中的应用具有积极意义。