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III-V族半导体中不同点缺陷构筑与相关复合机制的研究
  • 项目名称：III-V族半导体中不同点缺陷构筑与相关复合机制的研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：11374328
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：石林
  • 依托单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 批准年度：2013
石林的项目
III-V族半导体多壳层同轴纳米线的光伏特性研究
期刊论文 2