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压力下半导体异质结构中电子-声子相互作用及相关问题
  • 项目名称：压力下半导体异质结构中电子-声子相互作用及相关问题
  • 项目类别：地区科学基金项目
  • 批准号：60166002
  • 申请代码：F040503
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2002-01-01-2004-12-01
  • 项目负责人：班士良
  • 负责人职称：教授
  • 依托单位：内蒙古大学
  • 批准年度：2001
中文摘要：

研究压力下半导体（含三元混晶参与构成的）异质结构中声子的特征，导出相应的电子--声子哈密顿量。计及各光学声子模的作用讨论体系中极化子、杂质态、激子等相关问题，并考虑外场、屏蔽效应等影响。以期预言和解释新物理现象，推动本领域实验和理论发展，有利于深入认识微观世界和新电子器件的研制。是既有理论意义又有较强应用背景的研究工作。

中文主题词： 压力；异质结；量子阱；电子-声子；混晶
结论摘要：

英文主题词pressure; heterojunction; quantum well; electron-phonon; mixed crystal

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 22
  • 6
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期刊论文
双势垒中杂质原子对量子隧穿的影响
有限势垒量子阱中极化子结合能的压力效应
Zn1-xCdxSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数
Pressure tuning of strains in Zn1-xCdxSe/ZnSe (x<0.1) single quantum wells
ZnSe及ZnSe基异质结构中电子迁移率随静压之变化
磁场对Ga1-xAlxAs/AlAs异质结系统中施主结合能的影响
半导体异质结中施主结合能的磁场效应
III-V 族宽禁带含氮三元混晶半导体禁带宽度的计算
Effect of electron-phonon interaction on surface states in zinc-blende GaN, AlN, and InN under press
Binding Energies of Donors in Quantum Wells under Hydrostatic Pressure
Pressure-induced increase of exciton-LO-phonon coupling in a Zn1-xCdxSe/ZnSe quantum well
Binding energies of excitons in GaAs/AlAs quantum wells under pressure
Pressure effect on the interface excitons in a type-Ⅱ ZnTe/CdSe heterojunction
Pressure dependence of electron-IO-phonon interaction in multi-interface heterostructure systems
Intermediate-coupling polaron properties in wurtzite nitride semiconductors
Excitonic transition in ZnCdSe/ZnSe quantum wells under hydrostatic pressure
磁场下半导体GaAs/AlxGa1-xAs异质结中的杂质态
磁场对GaAs/AlxGa1-xAs异质结系统中束缚极化子的影响
静压下Zn1-xCdxSe/ZnSe窄量子阱的激子和光跃迁
ZeSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变
Type-II excitonic characteristics of the GaN/GaAlN wide quantum well
The effect of Hydrostatic pressure on bound polarons in polar semiconductor heterojunctions
会议论文
静压下准二维GaAs/AlxGa1-xAs半导体异质结中电子的迁移率
半导体异质结系统中电子的回旋共振
Magnetic field effect on bound polarons in semiconductor heterojunctions under pressure
有限深量子阱中激子的压力效应
氮化物半导体GaN、AlN和InN中中间耦合极化子
静压下II类ZnSe/ZnTe异质结的界面激子：三角势近似
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