中文摘要：

共烧Ni内电极的多层片式正温度系数（PTC）半导瓷适合于电子元器件的集成化和贴片式趋势，而尺寸大规模减小下PTC陶瓷的电学性能反而要大幅提升。多层片式PTC半导瓷的电学性能主要来源于晶界表面势垒，减小PTC半导瓷的晶粒尺寸是增加晶界数目有效途径。本项目拟采用高能球磨的纳米粉体为原料、BaTiO3的Ba位(即A位)引入Sr2+、高施主掺Y3+、高预烧低烧结、相对提高流延浆料固含量的有机流延等多种途径的组合运用实现片式PTC陶瓷的细晶调控，研究片式PTC陶瓷的制备工艺与晶粒细化的机理、多元高施主掺杂改性机理以及陶瓷晶粒生长的动力学机理，通过晶粒的表面效应构建多壳层分布模型，研究细晶后片式PTC陶瓷晶粒尺寸效应与介电、相变等电学性能关系的物理机理及细晶晶粒尺寸极限的物理机理，通过晶界势垒的高斯分布模型研究陶瓷导电的电输运机理，项目将为片式PTC陶瓷的细晶调控及导电机理研究提供理论和实验基础。