中文摘要：

将硅衬底用于碲镉汞外延生长是目前红外半导体材料领域研究的热点，硅衬底的应用可以大幅度提高红外器件的可靠性并降低成本。硅与碲镉汞的晶格失配达到19%,分子束外延技术虽然可以实现大失配体系的异质衬底外延，但位错密度较高，而液相外延的优点是可以减少薄膜材料中的位错缺陷，液相外延中特有的回熔技术还可以消除衬底表面的微观缺陷和损伤。本项目综合分子束外延和液相外延的优点，研究用分子束外延制备Si/CdTe复合衬底，在复合衬底上进行液相外延生长碲镉汞，从而研制出低位错密度的硅基碲镉汞薄膜材料。本项目开辟出了一条碲镉汞异质衬底外延的新途径，其原理和方法对于大失配体系的异质衬底外延具有广泛的科学意义，所获得的低位错外延薄膜对于制备高性能的硅基碲镉汞红外探测器具有重要价值。