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中文摘要：
含铋或锑的III-V族半导体合金材料在光电器件和光电集成等领域具有重要的应用前景。本项目提出了基于密度泛函理论的新材料模拟计算的方案。对铋或锑的并入机制有深刻理解、并对新型光电子材料的特征实现精确的预测基础之上，进而利用其新颖的物理特征实现对电子结构和光学性质等的调控。这为解决光电子集成中的异质兼容问题提供了新的途径。
结论摘要：
英文主题词optoelectronic integration；first-principle；electronic structures；optical properties；
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