由于现有晶体在光学或物化性能上的缺陷,300nm以下紫外区缺乏高性能的实用倍频晶体。本项目以无色ReAl3(BO3)4 (Re= Y, Lu)系列晶体作为紫外倍频晶体的候选材料,通过研究晶体生长助熔剂体系的相平衡与相关系,选择不影响紫外透过率的助熔剂,生长厘米量级的无色单晶;测定晶体紫外区线性和非线性光学性能,重点研究由该系列晶体制成的四倍频(266nm)器件。由于YAl3(BO3)4晶体具有短的的紫外吸收边(173nm)、合适的双折射率(0.076)、大的倍频系数(1.79pm/V),优良的物化性能,其综合性能超过现有紫外倍频晶体,将有望在300nm以下紫外倍频应用方面替代BBO和CLBO。
英文主题词UV SHG, fourth harmonic genaration, NLO crystal, crystal growth, YAB