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　面向三维集成的阻变存储器纳米尺度效应研究
  • 项目名称：　面向三维集成的阻变存储器纳米尺度效应研究
  • 批准号：2016YFA0203800
  • 项目来源：“纳米科技”重点专项2016年度项目
  • 研究期限：2016-06-
  • 项目负责人：吕杭炳
  • 依托单位：中国科学院微电子研究所
  • 批准年度：2016
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 2
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期刊论文
Highly uniform and nonlinear selection device based on trapezoidal band structure for high density nano- crossbar memory array
面向三维集成的阻变存储器纳米尺度效应研究
吕杭炳的项目
基于氧化物薄膜晶体管的不挥发性DRAM技术研究
期刊论文 1
阻变存储器集成及可靠性
期刊论文 2
阻变存储器数据保持特性失效机理研究
期刊论文 8 会议论文 6