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过渡金属二硫族化合物二维材料的性能预测与相关纳米器件设计
  • 项目名称：过渡金属二硫族化合物二维材料的性能预测与相关纳米器件设计
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：51572021
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：顾有松
  • 依托单位：北京科技大学
  • 批准年度：2015
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
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期刊论文
Impact of insulator layer thickness on the performance of metal-MgO-ZnO tunneling diodes
顾有松的项目
准一维ZnO纳米材料中量子尺寸效应对电输运性能影响的理论研究
期刊论文 13 会议论文 4 获奖 2
ZnO纳米电子器件中的界面接触及高性能器件设计的研究
期刊论文 3 获奖 2