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低铟组分InGaN量子阱中载流子泄漏的抑制及GaN基近紫外激光器研究
  • 项目名称：低铟组分InGaN量子阱中载流子泄漏的抑制及GaN基近紫外激光器研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：61674139
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：陈平
  • 依托单位：中国科学院半导体研究所
  • 批准年度：2016
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
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期刊论文
Fabrication of room temperature continuous-wave operation GaN-based ultraviolet laser diodes
The residual C concentration control for low temperature growth p-type GaN
陈平的项目
负电子亲和势AlN冷阴极材料的平面电子发射特性研究
期刊论文 4
基于硅基纳米线波导微环谐振器的异或/同或光学逻辑运算单元及其阵列
期刊论文 5 会议论文 2 专利 1