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中文摘要：
研究了GaN与助熔剂体系的作用规律，用实验数据与相图计算相结合的方法构筑出了GaN—助熔剂体系三元相图，解决了低温常压下用熔盐法生长GaN晶体的难题。在液氨条件下实现了GaN单晶生长，同时获得了立方相GaN。发展了一种具有普适性且不需要模板的纳米线制备方法，并用该方法成功地生长出GaN，Ga2O3，SnO2，ZnO，SiO2等材料的纳米线。在一些宽带隙半导体材料中，首次观察到了纳米带、纳米片以及纳米环等新的纳米结构，并对其结构和物性进行了表征。首次提出了纳米线侧向生长动力学和纳米线的稳定性理论，预测了纳米线直径本征地沿轴线存在一个锥度，当波动周期大于纳米线周长时将产生珠状纳米线，并通过实验得到验证。以上结果共发表论文20篇，其中SCI文章19篇。
结论摘要：
英文主题词GaN; Crystal growth; Phase relations; Low dimensional materials
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