中文摘要：

本研究工作对皱折表面超晶格和V型量子线中量子局域斯塔克效应进行了系统研究，给出了材料中电子能带能隙和激子光吸收谱随外加电场的变化规律。结果显示皱折表面超晶格和V型量子线有比一般平面量子阱敏感得多的量子局域斯塔克效应，是用于设计可调控微电子或光电元器件的极佳材料。研究工作还对皱折表面超晶格在外加磁场中的回旋共振光吸收谱以及材料中电子气电荷非均匀分布对电子能级及光收谱的影响进行了计算分析，研究结果对利用皱折表面超晶格和V型量子线设计新颖的微电子和光电可调控元器件提供了理论基础。