中文摘要：

在现有的生产加工设备条件和现有的MOS器件特征尺寸下，如何通过探索新型器件材料、研究新型器件结构、开发新型器件工艺，不断提高器件与集成电路的性能，无论是对于微电子学与集成电路技术的长远发展，还是对于我国微电子产业规避巨额投资风险，实现跨越式发展，都具有十分重要的学术意义和应用价值。本课题首先拟采用现有的超高真空化学气相淀积（UHV/CVD）设备来研究制备弛豫的SiGe过渡层，在此基础上将进一步研究

结论摘要：

在现有的生产加工设备条件和现有的MOS器件特征尺寸下，如何通过探索各种新型器件材料、研究新型器件结构、开发新型器件工艺，不断提高器件与集成电路的性能，无论是对于微电子学与集成电路技术的长远发展，还是对于我国微电子产业规避巨额投资风险，实现自主创新和跨越式发展，都具有十分重要的学术意义和应用价值。本课题首先采用先进的超高真空化学气相淀积（UHV/CVD）设备来研究制备弛豫的SiGe虚拟衬底，在此基础上进一步研究生长高质量应变硅层的工艺技术；其次本课题研究采用应变硅材料作为MOS器件沟道层的集成工艺技术，实现低热开销的且与常规CMOS工艺相兼容的应变硅MOS器件关键制造工艺；最后本课题还研究了应变硅MOS器件中两种载流子的迁移率与外加电场、沟道区掺杂浓度以及温度等因素的变化关系，并采用器件数值模拟手段进一步优化设计应变硅MOS器件结构和工艺技术，以全面提高应变硅MOS器件与集成电路的各项性能参数。