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　SOI二维光子晶体自准直理论和器件研究
  • 项目名称：　SOI二维光子晶体自准直理论和器件研究
  • 批准号：10ZR1436100
  • 项目来源：2010年度上海市自然科学基金项目
  • 研究期限：2010-04-
  • 项目负责人：武爱民
  • 依托单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 批准年度：2010
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 2
  • 0
  • 0
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期刊论文
Fabrication of high quality strained SiGe on Si substrate by RPCVD
两步氧离子注入工艺制备SOI材料研究
武爱民的项目
绝缘体上的锗光子晶体激光研究