中文摘要：

具有良好材料质量和高量子效率的III-V太阳电池具有目前最高的光电转换效率，辅以廉价的聚光系统可以在大规模工业发电系统中有广泛的应用。然而，与太阳光谱相匹配的多结太阳电池的单层材料的晶格常数相差比较大，因此目前在生长采用的是晶格匹配或赝匹配界面的多结电池结构，这些方法要么限制了电池的极限光电转换效率，要么在有源层中引进了一定程度上的复合缺陷。直接键合技术是目前半导体光电器件上广为使用的一种器件工艺，通过优化的键合工艺把晶格失配比较大的不同半导体晶体材料结合在一起，同时把晶格失配所产生的缺陷控制在界面附近区域以及一定程度，从而降低失配缺陷对器件最终性能的影响。本项目中，通过键合技术把晶格失配比较大的子电池直接集成在一起制作高效多结太阳电池，理论和实验上研究键合过程中键合界面所产生的缺陷对太阳电池电学性能参数的影响