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　纳米磁性自旋存储器和半导体硅量子点存储器的研制及其器件物理研究
  • 项目名称：　纳米磁性自旋存储器和半导体硅量子点存储器的研制及其器件物理研究
  • 批准号：2010CB934400
  • 项目来源：2010年度国家重点基础研究发展计划（973计划）项目
  • 研究期限：2010-01-
  • 项目负责人：季明华
  • 依托单位：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 批准年度：2010
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 2
  • 0
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期刊论文
CoFeB/AlO_x/Ta及AlO_x/CoFeB/Ta结构中垂直易磁化效应的研究
Perpendicular magnetic tunnel junction and its application in magnetic random access memory
季明华的项目
　纳米磁性自旋存储器及半导体量子点存储器的集成和制造