中文摘要：

GdAl3(BO3)4(GAB)晶体自1960年代被发现以来，研究集中在稀土掺杂GAB晶体生长和其在激光自倍频方面的应用。由于通常采用钼酸盐助熔剂生长的GAB晶体紫外截止边在300nm左右，到目前为止，GAB作为应用于紫外短波段非线性光学晶体研究很少。近期，我们探索出一种"金属氧化物-B2O3-氟化物"助熔剂体系，生长的GAB晶体紫外截至边在175nm，且较同结构类型YAl3(BO3)4更易生长出大尺寸晶体。GAB晶体的粉末倍频效应约为3.5倍KDP且能够实现相位匹配，GAB晶体不潮解、硬度大，抗激光损伤阈值约为11.31GW/cm2，使其在紫外短波段应用成为可能。本研究包括紫外低吸收GAB晶体的助熔剂体系探索与优化、单晶生长，线性与非线性光学性能表征等，将首次实现GAB晶体的Nd:YAG(1064nm)激光266nm输出。GAB晶体可能成为有应用前景的四倍频非线性光学晶体。