位置：立项数据库 > 立项详情页
新型GaN电子器件低界面态介质生长系统
  • 项目名称：新型GaN电子器件低界面态介质生长系统
  • 项目类别：国家重大科研仪器研制项目
  • 批准号：61527816
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：王文武
  • 依托单位：中国科学院微电子研究所
  • 批准年度：2015
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 1
  • 0
  • 0
  • 0
  • 0
期刊论文
绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术
王文武的项目
基于臭氧技术的Ge基高介电常数栅介质MOS器件的基础研究界面特性、栅电荷分布及起源、迁移率散射机制
期刊论文 1
高k栅介质/金属栅结构CMOS器件的界面特性与有效功函数控制技术的基础研究
期刊论文 18 会议论文 5