欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
立项数据库
> 立项详情页
GaN兰光材料的反应离化团簇束制备及离子注入研究
项目名称:GaN兰光材料的反应离化团簇束制备及离子注入研究
项目类别:面上项目
批准号:19775036
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:范湘军
依托单位:武汉大学
批准年度:1997
范湘军的项目
ZnO单晶薄膜的RICB外延生长及其离子注入研究
期刊论文 3
离子束混合Fe-Cr基金一类金属非晶钝化膜研究
用离子束冶金方法研制高Tc氧化物超导薄膜
C60半导体薄膜的簇团离子束沉积制备和离子掺杂
刀具超晶格涂层的制备、硬度增强效应及其量子理论研究
期刊论文 1
第十三届国际离子束材料表面改性会议
富勒烯的磁控溅射制备和离子注入效应的动态研究
GaN、ZnO、CdTe等宽带化合物半导体薄膜的离子注入研究
第八届韩中薄膜材料研讨会
加速器—电镜联机及其在材料科学中的应用
期刊论文 65
会议论文 28