随着石墨烯在应用领域的逐渐拓展,如何定量检测石墨烯的结构缺陷,理解缺陷对载流子迁移率等的影响,制备出缺陷密度低的高质量石墨烯是目前亟待解决的关键问题。本项目立足于石墨烯的结构缺陷识别与检测,拟开发出一套可广泛应用于任意石墨烯样品缺陷检测的工艺方法,主要的研究内容包括 1)结合氢等离子体各向异性刻蚀技术和原子力显微技术,发展一种可用于石墨烯缺陷检测的常规技术。2)检测碳化硅热解外延石墨烯和化学气相沉积石墨烯等样品的缺陷,并研究缺陷对石墨烯本身物理性能(如电学输运、声子散射等)的影响。3)分析缺陷产生的原因、机理,研究优化生长工艺的参数。本项目的开展可将复杂的问题简单化,微观的问题宏观化,定性定量的分析石墨烯的本征缺陷、晶界与晶向,从而为揭示石墨烯基器件的输运性质提供了实验支持。本项目所采用的方法与设备均简单好用、成本低廉,结果直观明了,完全可用于工业化检测技术之中。
英文主题词Graphene;Graphene nanostructures;Defects;Transport;detection