欢迎您！东篱公司
退出
-
申报数据库
-
立项数据库
-
成果数据库
-
项目获奖数据库
位置：立项数据库 > 立项详情页
中文摘要：
提出了一种超声喷雾辅助化学气相沉积技术，通过超声波雾化含有薄膜组分的源溶液产生雾气源，并由载气输送至特殊设计的反应室，发生热分解生成薄膜。改善了超声喷雾热分解工艺的生长控制精度和工艺稳定性。同时，以无机盐水溶液代替金属有机源，还避免了MOCVD 法MO 源成本较高、有毒且很容易预反应的问题。以多种含N气体(N2,NH3,N2O)作为N掺杂源,通过特殊退火工艺，制备了低阻p型导电ZnO薄膜。通过XPS、同步辐射XANES等手段深入分析了N掺杂ZnO薄膜的电学机理，给出了相应的理论模型。并在此基础上实现了ZnO基同质p-n结LED器件的电注入发光，发光光谱由位于380nm带边发射和位于570nm的深能级缺陷发光两部分组成。但所制备的ZnO基LED器件发光效率很低，发光功率尚无法测出。另外，在进行ZnO基薄膜材料生长与发光器件研究的同时，项目还进行了ZnO纳米棒的低温溶液发生长研究。特别是在GaAs衬底上通过插入ZnO薄膜层，获得了一维纳米棒和二维薄膜构成的杂化结构LED器件，室温下观测到明显的电注入发光。 项目执行中发表SCI索引文章14篇。做国际会议邀请报告一次。
结论摘要：
英文主题词ZnO；thin film; carrier transport mechanism; luminescence mechanism; doping
成果综合统计
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
期刊论文
Controllable growth of well-aligned ZnO nanorod arrays by low-temperature wet chemical bath depositi
Growth of ultralong ZnO microwire and its application in isolatable and flexible piezoelectric strai
Effects of Substrate on the Structure, Morphology and Optical Properties of Vertically Aligned ZnO N
Realization of Ultraviolet Electroluminescence from ZnO Homojunction Fabricated on Silicon Substrate
Effects of annealing ambience on ZnO:N films grown by MOCVD and the p-type doping mechanism of ZnO:N
相关项目
边继明的项目