γ-LiAlO2晶片上非极性宽禁带半导体薄膜制备及其光电特性研究-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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γ-LiAlO2晶片上非极性宽禁带半导体薄膜制备及其光电特性研究

项目名称：γ-LiAlO2晶片上非极性宽禁带半导体薄膜制备及其光电特性研究
项目类别：面上项目
批准号：60676004
申请代码：F040108
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2007-01-01-2009-12-31

项目负责人：周圣明
负责人职称：研究员
依托单位：中国科学院上海光学精密机械研究所
批准年度：2006

中文摘要：

宽禁带半导体材料（GaN、ZnO）和器件的研究近年来如火如荼，在短波长激光器、紫外探测器、半导体白光照明等领域有广泛应用。但目前制备的 GaN 基和 ZnO 基膜基本上都是沿六方结构的 c 轴生长的，由于自发极化和压电效应在有源层中产生了内建电场，影响器件的发光效率，因此制备非极性膜和器件是目前研究热点。中科院上海光机所 1998 年在国际上首次利用 MOCVD 技术以（100）γ-LiAlO2（LAO）为衬底制备出非极性 m 面 GaN 膜,2005 年 8 月在（302）LAO 上制备出非极性 a 面 GaN膜,最近又在（301）LAO 上制备出非极性 a 面 ZnO 膜。本项目拟系统研究 LAO 晶面上非极性和半极性GaN 膜和 ZnO 膜生长机制，掌握在 LAO 晶片上制备高质量新型非极性和半极 GaN 膜和 ZnO 膜的方法，探索非极性 GaN 膜和 ZnO 膜的新特性及其应用前景。

中文主题词： γ-LiAlO2 衬底;非极性膜;GaN 膜;ZnO 膜

结论摘要：

英文主题词γ-LiAlO2 substrate; nonpolar film; GaN film; ZnO film

成果综合统计