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中文摘要：
光开关是光纤通信系统中光交换的核心器件。传统光开关由于多种不可避免的因素限制了它们的响应时间，而全光开关由于具有良好的光学性能和更加高速的开关速度受到研究者的重视和研究。课题对基于有源光子带隙布拉格结构的半导体多量子阱超快全光开关进行了理论研究。这种全光开关利用光学斯塔克效应的非线性机制，当量子阱周期满足布拉格条件，并且当布拉格反射谱的中心频率等于量子阱中阱层重空穴激子的共振频率时，该量子阱结构可以形成与一维光子晶体结构相同特征的光子禁带，利用光开关具有很大的非线性以及ps量级的恢复时间，形成THz的全光开关。课题进行了低压金属有机化合物气相外延沉积(LP-MOCVD)技术的工艺生长。研究分析了生长温度、压强、Ⅴ/Ⅲ比、Ⅴ/Ⅴ比、Ⅲ/Ⅲ比和中断生长技术对外延片结晶质量的影响。通过大量实验掌握了InGaAsP/InP和InAsP/InP Bragg结构光开关MOCVD工艺生长的各种条件和参数，测试了InGaAsP/InPBragg结构光开关的激子波长和布拉格反射波长随温度的变化关系， 该光开关具有良好的光谱特性，为进一步的全光通信应用，量子存储和处理的研究打下了良好基础。
结论摘要：
英文主题词Quantum dots, Active photonic band gap, all-optical switch, Superradiant mode , Optical stark effect
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