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R面蓝宝石上A面GaN生长研究
  • 项目名称：R面蓝宝石上A面GaN生长研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：50872146
  • 申请代码：E020702
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2009-01-01-2011-12-31
  • 项目负责人：陈弘
  • 负责人职称：研究员
  • 依托单位：中国科学院物理研究所
  • 批准年度：2008
中文摘要：

GaN基LED在照明市场的前景备受全球瞩目，它将成为21世纪的新一代光源，以替代白炽灯、荧光灯和高压气体放电灯等传统光源。在蓝宝石衬底上生长非极性的A面GaN材料是解决现有的极性面GaN材料极化效应对发光效率的限制的重要方法。尽管A面GaN生长国内外已经研究多年，但没有得到器件质量的外延层。本课题是在我们多年A面GaN生长研究的基础上，分析了限制A面GaN生长的原因并提出了相应的解决方法。主要研究内容包括（1） 研究R面蓝宝石偏角衬底对A-GaN生长的影响（2） 高温AlN生长研究（3） 原位SiN的淀积和GaN二次外延研究。目的是得到器件质量的R面蓝宝石衬底上生长的A面GaN外延层，并得到非极性面GaN基蓝光发光二极管结构。

中文主题词： GaN, 非极性,发光二极管
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
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期刊论文
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Growth and characteristics of AlGaN/GaN HEMT structures with AlN/GaN superlattices as barrier layers
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Stress Control in GaN Grown on 6H-SiC by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
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利用MOCVD在r面蓝宝石上生长的α面GaN中两步AlN缓冲层的优化(英文)
会议论文
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