位置:立项数据库 > 立项详情页
半导体表面铁薄膜面内磁各向异性的X射线磁性线二色研究
  • 项目名称:半导体表面铁薄膜面内磁各向异性的X射线磁性线二色研究
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:10274073
  • 申请代码:A040208
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2003-01-01-2006-12-31
  • 项目负责人:王劼
  • 负责人职称:研究员
  • 依托单位:中国科学技术大学
  • 批准年度:2002
中文摘要:

本课题应用软X射线磁性线二色吸收谱实验技术研究铁膜在半导体表面的磁特性。作为磁电友У难芯康悖現e/GaAs体系是一个很好的模型。但对于bcc铁存在单轴磁各向异性还没有明返奈锢砘啤Mü芯肯M钊肓私釬e膜的磁各向异性的微观起源。另一方面,该技术的ⅲ岷先鞽射线磁性圆二色吸收谱,为深入了解铁磁和反铁磁构成的复杂体系提供实验手段。

结论摘要:

通过本基金的支持,在国家同步辐射实验室XMCD实验站建立了XMLD的实验手段。利用与超高真空兼容的空心线圈,可以在距离线圈端面20mm处产生120Gs的脉冲磁场,脉冲宽度120ms,磁场方向垂直与入射光的偏振方向,另一方向的磁化利用了磁性圆二色的外磁场;以Labview5.1为开发平台,编写了XMLD的束线控制与数据采集程序;实验表明,在有外磁场存在的情况下,探测方式以样品电流法更有效。利用MBE和电化学在GaAs(100)衬底上外延了铁膜。对MBE法低于1.5nm的铁膜没有测得明显的铁磁性;对5nm的铁膜有一定的磁各向异性,但没有获得XMLD信号。经过对XMLD的研究,申请人认为在合肥光源目前的条件下,开展这方面的工作有诸多困难。主要表现在 - - 光子通量过低,导致低信噪比 - - 目前设备改造的余地不大,难以产生垂直于偏振方向的"静"磁场


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 16
  • 0
  • 0
  • 0
  • 0
相关项目
期刊论文 26 会议论文 1 获奖 6
王劼的项目