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氮化镓基浮空复合场板功率器件研究
  • 项目名称:氮化镓基浮空复合场板功率器件研究
  • 项目类别:青年科学基金项目
  • 批准号:61204085
  • 申请代码:F040403
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2013-01-01-2015-12-31
  • 项目负责人:毛维
  • 依托单位:西安电子科技大学
  • 批准年度:2012
中文摘要:

当前,新型高性能、低损耗功率器件的研发已成为提高电能利用率、节约能源、缓解能源危机的有效途径之一。本课题旨在研究一种新型场板功率器件- - GaN基浮空复合场板功率器件,开展器件理论模型和实现方法的探索。重点对器件工作机理和理论解析模型,器件结构优化,以及浮空复合场板功率器件实现方法开展研究,最终得到浮空复合场板功率器件的二维全解析模型和高性能的功率器件样品,并构建一套通用性强、可移植性好和应用性强的场板器件解析建模的方法和理论。本项目研究将为新型GaN基高耐压功率器件的发展奠定基础,为电力电子技术的发展注入新的活力。

结论摘要:

英文主题词GaN-based power devices with floating field-plates;two-dimensional fully analytical models;device process implementation methods;novel device structures and fabrication processing;device mechanisms analysis


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