中文摘要：

放射性脑损伤中部分患者表现为脱髓鞘性病变,而少突胶质细胞是合成髓鞘最重要的细胞。因此探讨电离辐射后少突胶质细胞的变化，对放射性脑损伤的防治具有重要的参考价值。本研究中，采用单次 2、10、20、30 Gy 照射后 1 天至 3 个月的不同观测时间点，运用基因芯片、定量 RT-PCR、Western Blot、激光共聚焦、流式细胞仪、电镜、免疫组化与Morris 水迷宫功能检查等多项实验技术，从大鼠大脑在体海马组织和离体培养少突胶质祖细胞两个方面，系统性研究电离辐射后少突胶质细胞的变化特点。实验结果表明，电离辐射作用后少突胶质细胞的MBP mRNA表达的明显下调、随后MBP的蛋白水平亦明显下调，并且伴随着髓鞘的超微结构改变和神经功能异常。如果采用依达拉奉能够对电离辐射后的少突胶质细胞产生保护作用。我们的研究中还发现少突胶质细胞损害过程中，Tau蛋白发生了一过性磷酸化。此外，大鼠全脑照射后还可引起神经胶质细胞GFAP和S-100B表达升高及海马组织的表观遗传学变化。上述研究结果为深入了解大脑放射性损伤的发病机理提供新的理论依据。