高压下Cd,In,Pb基半导体纳米晶结构、性质及荧光增强效应的研究-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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高压下Cd,In,Pb基半导体纳米晶结构、性质及荧光增强效应的研究

项目名称：高压下Cd,In,Pb基半导体纳米晶结构、性质及荧光增强效应的研究
项目类别：青年科学基金项目
批准号：11204101
申请代码：A040211
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2013-01-01-2015-12-31

项目负责人：王凯
依托单位：吉林大学
批准年度：2012

中文摘要：

本项目以有机相方法合成的Cd基(CdS, CdSe, CdTe)、In基(InP, InAs)和Pb基(PbS, PbSe, PbTe)等典型二元荧光半导体纳米晶为研究对象，利用金刚石对顶砧压机进行加压，采用原位高压瞬态荧光光谱、原位高压紫外-可见-近红外稳态荧光光谱、原位高压紫外-可见-近红外吸收光谱、原位高压同步辐射X光衍射等多种原位高压测量技术，结合理论计算模拟，探索高压下半导体纳米晶形貌、尺寸、结构与性质的内在联系和物理本质，深入理解高压对半导体纳米晶能级结构及电子状态的调控作用，重点寻找高压下提高半导体纳米晶发光效率的有效方法，尝试将高压状态的纳米晶"截获"到常压，从而获得新型高效发光半导体纳米晶。通过该项目的实施不仅可以加深对半导体纳米晶物理本质的理解，而且有望获得一些具有自主知识产权的创新性研究成果，为我国高压科学和纳米材料科学的交叉研究提供新的思路。

中文主题词：高压；金刚石对顶砧；纳米材料；相变；荧光

结论摘要：

英文主题词High pressure；Diamanond anvil cell；Nanocrystals；Phase transition；Fluorescence

成果综合统计