中文摘要：

量子阱、纳米线以及量子点半导体纳米结构或其异质结构在光学、电子学及光电子学的材料与器件等方面表现出许多奇特的性质，激子限域效应是其重要性质之一。激子限域效应的存在使激子的结合能增大，激子的发光效率提高几个数量级等。若用嵌段低维聚合物纳米线异质结构量子阱代替半导体的量子阱，则其具有构造容易、成本低以及激子的量子限域效应更强等优点。如果用HOMO-LUMO或π-π*的禁带EAg和 EBg分别表示研究的二种低维聚合物(-A-)n和(-B-),那么这种ABA三嵌段低维聚合物纳米线将表示了一个量子阱结构。在这种量子阱结构中，嵌段B形成了方势阱，较大能隙的嵌段A形成高度为 的电子势垒。利用共轭聚合物混合物中的相分离技术,采用分子自组装技术制备了PBZ和2,5-PBA纳米线的异质结构，研究证实了在这种嵌段聚合物量子线的异质结构中存在着很强的激子限域效应以及链内和链间的能量传递；研究了聚噻吩乙稀发色团和惰性寡甲撑单元组成的交替嵌段聚合物与MPD共混物薄膜的光致了光。这种共混物在640nm处产生增强的红光发射。发射增强的主要原因是被限制到低能激子态的激子之间高度相干和激子的量子限域效应及来源于晶化共聚合物与染料之间有效的能量传递。