中文摘要：

采用磁控溅射、激光脉冲沉积技术研究钨青铜结构铁电、电光薄膜材料在不同衬底上的生长制备条件，生长制备出具有高取向、高质量的钨青铜结构铁电、电光薄膜材料，如KNSBN, BSTN, SCNN等。通过能谱分析\X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜研究，确定薄膜的组分、晶态结构、取向和表面形貌；通过椭偏光谱、透射光谱的测量和分析研究，得到薄膜的折射率和消光系数等光学参数谱及变化规律；用反射光栅测量技术测量

结论摘要：

生长、制备和研究高取向(外延)、高质量新型钨青铜结构铁电、电光薄膜材料是铁电、电光薄膜研究的一个重要方向；钨青铜结构铁电、电光薄膜材料，如SBN，KNSBN, SCNN, BSTN等具有优异的铁电、电光和非线性光学特性，在微电子学、光电子学、集成光学等领域有着十分重要的应用研究意义。采用激光脉冲沉积和溶胶-凝胶法在不同衬底上生长制备出了SBN，KNSBN, SCNN, BSTN等钨青铜结构铁电、电光纳米薄膜；采用激光脉冲沉积技术，在与薄膜晶格相匹配的MgO衬底上，首次生长制备出了高质量、外延钨青铜结构SCNN，BSTN铁电、电光薄膜；通过X射线衍射、能谱分析、扫描电镜及原子力显微镜研究，确定了薄膜的晶态结构、组分、取向和表面形貌；通过椭偏光谱、透射光谱的测量和分析研究，得到了薄膜的折射率和消光系数等光学参数谱及变化规律；采用调制式椭偏仪和Adachi所叙述的电致双折射方法，成功地测量得到了铁电、电光薄膜的电光系数；找出了薄膜的组分、晶态结构、取向及电、光学性能参数之间关系；探讨了高取向钨青铜结构铁电、电光薄膜生长微观机理。