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　MOCVD生长非极性a面GaN材料光电特性研究
  • 项目名称：　MOCVD生长非极性a面GaN材料光电特性研究
  • 批准号：4102003
  • 项目来源：2010年度北京市自然科学基金项目
  • 研究期限：2009-12-
  • 项目负责人：邢艳辉
  • 依托单位：北京工业大学
  • 批准年度：2010
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 19
  • 0
  • 0
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期刊论文
生长压力对GaN材料光学与电学性能的影响
外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究
GaN薄膜电子声成像和电子背散射衍射研究
H_2载气流量对AlN缓冲层生长的影响
AlN隔离层对MOCVD制备的AlGaN/AlN/GaNHEMT材料电学性质的影响
高Al组分AlGaN材料优化生长与组分研究
质子注入能量对垂直腔面发射激光器的阈值和功率的影响
高阻GaN的MOCVD外延生长
质子注入型光子晶体垂直腔面发射激光器制备
低阈值852nm半导体激光器的温度特性
低阈值单横模852nm半导体激光器
Al组分对MOCVD制备的AlxGa1-xN/AlN/GaNHEMT电学和结构性质的影响
MOCVD生长源流量对p型GaN薄膜特性影响的研究
退火对Ge掺杂SiO2薄膜的影响
石墨烯/NiAu复合透明导电层在GaN LED的应用
p型GaN低温粗化提高发光二极管特性
表面粗化高空穴浓度InGaN：Mg性能及其发光二极管应用
MOCVD生长温度控制p型InGaN形貌和电学特性提高LED光功率
Single-mode low threshold current multi-hole vertical-cavity surface-emitting lasers
邢艳辉的项目
蓝宝石图形衬底上MOCVD定向控制生长半极性（11-22）GaN研究
期刊论文 43