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中文摘要：
高性能的稀磁半导体材料是广为关注的电子自旋学的基石，而晶体缺陷对半导体材料,特别是稀磁半导体的物性（其几何结构，电子结构，和磁性结构）有着极为重要的作用。本项目结合半导体材料样品的实验室制备条件，通过第一原理理论计算了ZnO:Cu, TiO2:(V,N/Cl/F), CuAlS2:Mg/Zn 等体系中各种本征缺陷形成能，并利用自己完成的相关程序自洽计算了部分体系的缺陷浓度，费米能级，和载流子浓度。这些计算结果在给定制备条件下得到了晶体缺陷浓度，及其氧化态，得到缺陷能级的电荷占据情况。在此基础上继续用第一原理理论来研究了这些体系相应的电子结构和磁性结构，对这些体系的物理性质有了更加深入的理解，对相关半导体材料的制备实验有一定的指导意义。
结论摘要：
英文主题词diluted magnetic semiconductor; crystal defect;
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期刊论文
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