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基于FinFET结构的GaN基数字电路关键技术研究
  • 项目名称：基于FinFET结构的GaN基数字电路关键技术研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：61574110
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：王冲
  • 依托单位：西安电子科技大学
  • 批准年度：2015
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
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期刊论文
AlGaN/GaN双异质结F注入增强型高电子迁移率晶体管
王冲的项目